|
Проверил влияние местной ООС внутри петли общей ООС на работу схемы.
ООС из базы в коллектор Т3 (см. упрощённую схему), при небольшом Коос=2 по осциллографу и незаметна. Очень большой местный Коос приводит к росту искажений (что вызвано резким падением усиления каскада усиления напряжения на Т3, общего усиления и, соответственно, эффективности общей ООС).
ООС с коллектора Т3 в базу Т2 (R7) не является местной ООС, но должен эффективно снижать искажения до каскада усиления мощности при малых фазовых сдвигах, т.е. в широкой полосе частот, и одновременно оптимизировать усиление и, соответственно, глубину общей ООС. Она ослабляется настолько, насколько сильна ООС с Т5 на Т2. Пожалуй, буду проверять этот вариант. Прогоню через RMAA при разных соотношениях R7 и R6, т.е. глубины "местной" и общей ООС, на предмет оптимизации искажений.
Поскольку ООС через R7 так же, как R6, работает и по постоянному току, стабилизируя положение рабочей точки транзисторов Т3-Т5, R7 должен быть больше чем R6, иначе при пробое одного из выходных транзисторов Т4-Т5 схема будет не в состоянии защитить второй из них. Ну это получится, т.к. глубину общей ООС надо снизить всего на 6-15 дБ из нынешних примерно 35.
Одна зараза : в RMAA сложно выставить одинаковые уровни мощности усилителя, для сравнения при разных изменениях в схеме.
Последний раз редактировалось Kraft; 10.03.2020 в 10:46.
|